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二探針單晶硅及多晶硅測(cè)試儀測(cè)量方式:軸向測(cè)量
  • 發(fā)布日期:2022-08-15      瀏覽次數(shù):527
    • 二探針單晶硅及多晶硅測(cè)試儀主要用于測(cè)量大直徑的單晶硅和多晶硅的電阻率分布情況,以便硅材料的切割和加工。
      本儀器符合ASTM 《“F391-77"關(guān)于二探針測(cè)量硅單晶試驗(yàn)方法》的標(biāo)準(zhǔn),是一種新型的半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀,適合半導(dǎo)體材料廠和器件廠用于二探針法測(cè)量單晶硅和多晶硅半導(dǎo)體棒狀材料的體電阻率,從而進(jìn)一步判斷半導(dǎo)體材料的性能,指導(dǎo)和監(jiān)視工藝操作,也可以用來測(cè)量金屬材料的電阻,儀器具有測(cè)量高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便、造型美觀等特點(diǎn)。也可以配四探針測(cè)試頭作常規(guī)的四探針法測(cè)量硅晶體材料。儀器分為儀表電氣控制箱、測(cè)試臺(tái)、探頭三部分,儀表電氣控制箱由高靈敏度直流數(shù)字電壓表、高抗干擾高隔離性能的電源變換裝置、高穩(wěn)定高恒流源和電氣控制部分組成。測(cè)量結(jié)果由大型LED數(shù)字顯示,零位穩(wěn)定、輸入阻抗高,并設(shè)有自校功能。在棒狀材料使用二探針法測(cè)試時(shí),具有系數(shù)修正功能,從面板輸入相應(yīng)的修正系數(shù),可以直接讀出電阻率,使用方便。測(cè)試臺(tái)結(jié)構(gòu)新穎,造型美觀,可以方便地固定好大小任意尺寸的樣品,并可以作逐點(diǎn)選擇步進(jìn)測(cè)量,也可以自由選擇固定位置測(cè)量,電極活動(dòng)自如,具備鎖定裝置,方便重復(fù)測(cè)量。另外還配置了二處記錄板和轉(zhuǎn)椅,測(cè)試探頭能自動(dòng)升降,探針為碳化鎢材料,配置寶石軸承,具有測(cè)量高、游移率小、耐磨、使用壽命長特點(diǎn)。同時(shí)探頭壓力恒定并且可調(diào)整,以適合不同的材料。
      主要參數(shù):
      可測(cè)硅材料尺寸:
      直徑Φ25~Φ150mm滿足ASTM F-397的技術(shù)要求。
      長度:100~1100mm.
      測(cè)量方式:軸向測(cè)量,每隔10mm測(cè)量一點(diǎn)。
      測(cè)量電阻率范圍:10-3~103Ω-cm,可擴(kuò)展到105Ω-cm。
      數(shù)字電壓表:
      (1)量    程:0.2mV、2mV、20mV、200mV、2V
      (2)測(cè)量誤差:±0.3%讀數(shù)±2字
      (3)輸入阻抗:0.2mV和2mV檔>106Ω    20mV檔及以上>108Ω
      (4)顯    示:31/2位LED數(shù)字顯示,范圍0~1999。
      恒流源:
      (1)電流輸出:直流電流0~100mA連續(xù)可調(diào)。
      (2)量    程:10μA、100μA、1mA、10mA、100mA
      (3)電流誤差:±0.3%讀數(shù)±2字
      二探針測(cè)試裝置:
      (1)探針間距:4.77mm
      (2)探針機(jī)械游移率:0.3%
      (3)探針壓力:0~2kg可調(diào)
      (4)測(cè)試探頭自動(dòng)升降
      二探針測(cè)試臺(tái)
      (1)測(cè)試硅單長度:100-1100mm
      (2)測(cè)試點(diǎn)間距:10mm
      (3)測(cè)試臺(tái)有慢、快二種移動(dòng)速度,快速移動(dòng)速度為1000mm/分(均勻手動(dòng))
      電源:交流220V±10%,50HZ±2HZ,消耗功率<150W

      BXGD-1二探針單晶硅及多晶硅測(cè)試儀

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